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IXGH9090

更新时间: 2024-02-09 15:53:36
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD

IXGH9090 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81最大集电极电流 (IC):48 A
集电极-发射极最大电压:600 V最大降落时间(tf):400 ns
门极发射器阈值电压最大值:5.5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IXGH9090 数据手册

 浏览型号IXGH9090的Datasheet PDF文件第2页 

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