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IXGJ50N60B

更新时间： 2024-11-17 23:14:55

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	184K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGJ50N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	LEADED TO-268, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	270 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	450 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns	Base Number Matches：	1

IXGJ50N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 50N60B

IXGK 50N60B

IXGT 50N60B

IXGJ 50N60B

V_CES= 600 V

I_C25= 75 A

V_CE(sat)= 2.3 V

t_fi(typ)

= 120 ns

TO-247 AD (IXGH)

C (TAB)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-268 (D3) ( IXGT)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268 Leaded (IXGJ)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load

I_CM= 100

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

TO-264 AA (IXGK)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

TO-247AD

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

C (TAB)

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

E=Emitter

D = Drain

TAB = Collector

Weight

TO-247

TO-264

TO-268

Features

• International standard packages

• High frequency IGBT

• Latest generation HDMOS^TMprocess

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Symbol

BV_CES

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

Min. Typ. Max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

I_C= 250µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

V_GE(th)

I_CES

2.5

5.0

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

200 µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.3

• Easy to mount with 1 screw

(insulated mounting screw hole)

• Switching speed for high frequency

applications

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

• High power density

95585F(12/02)

12 3 4

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与IXGJ50N60B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGJ50N60C4D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ISOLATED TO
IXGK100N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGK100N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGK120N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 A3-Class IGBTs
IXGK120N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK120N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs
IXGK120N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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