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IXGJ50N60C4D1

更新时间： 2024-11-18 20:01:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	401K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ISOLATED TO-247, 3 PIN

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IXGJ50N60C4D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ISOLATED TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	52 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	306 ns
标称接通时间 (ton)：	75 ns	Base Number Matches：	1

IXGJ50N60C4D1 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES= 600V

I_C110= 21A

V_CE(sat)≤ 2.50V

High-Gain IGBT

w/ Diode

IXGJ50N60C4D1

(Electrically Isolated Tab)

High-Speed PT Trench IGBT

ISO TO-247^TM

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

Isolated Tab

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

Features

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

220

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 72

Optimized for Low Switching Losses

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Square RBSOA

(RBSOA)

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

125

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

Advantages

F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Easy to Mount

Space Savings

V_ISOL

50/60 Hz, RM, t = 1min

2500

4.0

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified

Min.

600

4.0

Typ.

Max.

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Lamp Ballasts

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.5

50 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.95

1.65

2.50

DS100369A(10/11)

12 3 4 5 6 7

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