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IXGJ50N60C4D1

更新时间： 2024-02-26 18:05:25
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 401K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ISOLATED TO-247, 3 PIN

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IXGJ50N60C4D1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247包装说明：ISOLATED TO-247, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：52 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：306 ns
标称接通时间 (ton)：75 nsBase Number Matches：1

IXGJ50N60C4D1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
VCES = 600V  
IC110 = 21A  
VCE(sat) ≤ 2.50V  
High-Gain IGBT  
w/ Diode  
IXGJ50N60C4D1  
(Electrically Isolated Tab)  
High-Speed PT Trench IGBT  
ISO TO-247TM  
E153432  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
E
Isolated Tab  
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G = Gate  
C = Collector  
E = Emitter  
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
52  
21  
12  
A
A
A
Features  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
220  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 10Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 72  
A
z
Optimized for Low Switching Losses  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
2500V~ Electrical Isolation  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
Square RBSOA  
z
(RBSOA)  
VCE ≤ VCES  
PC  
TC = 25°C  
125  
W
z
z
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
z
-55 ... +150  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Advantages  
FC  
Mounting Force  
20..120 / 4.5..27  
N/lb.  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
VISOL  
50/60 Hz, RM, t = 1min  
2500  
4.0  
V~  
g
z
Weight  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified  
Min.  
600  
4.0  
Typ.  
Max.  
z
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Lamp Ballasts  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
z
z
6.5  
z
50 μA  
2.5 mA  
z
TJ = 125°C  
TJ = 125°C  
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC = 36A, VGE = 15V, Note 1  
1.95  
1.65  
2.50  
V
V
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100369A(10/11)  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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