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IXGK120N60A3

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	337K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGK120N60A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
Base Number Matches：	1

IXGK120N60A3 数据手册

GenX3^TMA3-Class

IGBTS

IXGK120N60A3*

V_CES= 600V

I_C110= 120A

V_CE(sat)≤ 1.35V

IXGX120N60A3

*Obsolete Part Number

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 5kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

V_CGR

(TAB)

V_GES

V_GEM

Transient

I_C25

T_C= 25°C

200

120

PLUS 247^TM(IXGX)

I_C110

I_LRMS

I_CM

T_C= 110°C

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

600

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1.5Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

@ < 600

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

780

T_J

T_JM

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_stg

-55 ... +150

°C

TAB = Collector

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

Features

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zSquare RBSOA

^zHigh Current Handling Capability

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 500μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

Applications

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

50 μA

T_J= 125°C

1.25 mA

^zPower Inverters

^zUPS

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

^zMotor Drives

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.20 1.35

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

DS99964A(02/09)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK120N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK120N60B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK120N60B_10	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs
IXGK120N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBTs
IXGK120N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK120N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT Lightspeed 2 Series
IXGK210N30PCT1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264AA
IXGK28N140B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1400V IGBTs w/ Diode
IXGK28N140B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK320N60A3	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBTs

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