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IXGK120N120B3

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
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2页	123K
描述
GenX3 1200V IGBTs

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IXGK120N120B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	830 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	885 ns
标称接通时间 (ton)：	122 ns	Base Number Matches：	1

IXGK120N120B3 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM1200V IGBTs

V_CES= 1200V

I_C90= 120A

V_CE(sat)≤ 3.0V

IXGK120N120B3

IXGX120N120B3

High Speed Low Vsat PT IGBTs

for 3-20 kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

1200

±20

(TAB)

V_CGR

V_GES

PLUS 247^TM(IXGX)

V_GEM

Transient

±30

I_C25

I_C90

I_LRMS

I_CM

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 90°C

200

120

370

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 240

(TAB)

V_CES< 1200

P_C

T_C= 25°C

830

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_J

-55 ... +150

150

°C

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

^zSquare RBSOA

^zInternational Standard Packages

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= 0V

I_C= 1mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES,V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

5.0

50 μA

5 mA

T_J= 125°C

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

2.4

3.0

DS100152(05/09)

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