Datasheet > IXGH6N170A

IXGH6N170A

更新时间： 2024-11-18 03:41:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
High Voltage IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH6N170A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	65 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	271 ns
标称接通时间 (ton)：	91 ns	Base Number Matches：	1

IXGH6N170A 数据手册

Advance Technical Data

IXGH 6N170A

IXGT 6N170A

V_CES

I_C25

= 1700 V

6 A

High Voltage

IGBT

V_CE(sat)= 7.0 V

t_fi(typ)

32 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-268(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33Ω

I_CM= 12

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

Clamped inductive load

t_SC

P_C

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V; V_GE= 15 V, R_G= 33Ω

T_C= 25°C

µs

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

^zInternational standard packages

JEDEC TO-268 and

T_JM

T_stg

-55 ... +150

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mounting torque (M3)

(TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

300 °C

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

- drive simplicity

^zRugged NPT structure

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Weight

TO-247

TO-268

Applications

^zCapacitor discharge & pulser circuits

^zAC motor speed control

^zDC servo and robot drives

^zDC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1700

3.0

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

Note 1 T_J= 125°C

500

µA

Advantages

^zHigh power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

100

7.0

^zSuitable for surface mounting

^zEasy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

T_J= 25°C

T_J= 125°C

5.5

6.5

DS98990A(01/03)

中文翻译

下载PDF

与IXGH6N170A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH6N170A_09	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs
IXGH72N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH72N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH72N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 B3-Class IGBTs
IXGH72N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH72N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH72N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH80N40B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IXGH85N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGH85N30C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

与IXGH6N170A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH6N170A

IXGH6N170A 技术参数

IXGH6N170A 数据手册

与IXGH6N170A相关器件

与IXGH6N170A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH6N170A

IXGH6N170A 技术参数

IXGH6N170A 数据手册

与IXGH6N170A相关器件

与IXGH6N170A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？