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IXGH6N170A_09

更新时间： 2024-11-21 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	190K
描述
High Voltage IGBTs

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IXGH6N170A_09 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage

IGBTs

V_CES

I_C25

V_CE(sat)≤ 7.0V

t_fi(typ)= 32ns

= 1700V

= 6A

IXGH6N170A

IXGT6N170A

TO-247 (IXGH)

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_C= 25°C to 150°C

1700

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 33Ω

I_CM= 12

C (TAB)

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ 0.8 • V_CES

G = Gate

E = Emitter

= Collector

t_SC

P_C

T_J= 125°C, V_CE= 1200 V, V_GE= 15 V, R_G= 33Ω

μs

TAB = Collector

T_C= 25°C

T_J

- 55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

- 55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

Advantages

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Weight

TO-247

TO-268

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1700

3.0

Typ.

Max.

^zPower Inverters

^zUPS

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

^zMotor Drives

^zSMPS

5.0

^zPFC Circuits

^zWelding Machines

10 μA

500 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15V, Note 1

7.0

5.4

DS98990B(04/09)

12 3 4 5

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