Datasheet > IXGH80N40B2

IXGH80N40B2

更新时间： 2024-02-27 16:14:26

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	532K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH80N40B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	400 ns
标称接通时间 (ton)：	38 ns	Base Number Matches：	1

IXGH80N40B2 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

= 400 V

= 80 A

IXGH 80N40B2

V_CE(sat)< 1.6 V

t_fityp= 85 ns

Optimized for 10-30 KHz hard

switching and up to 300 KHz

resonant switching

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

400

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

240

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ ≤ 300 V

T_C= 25°C

I_CM= 100

Features

400

High current handling capability

MOS Gate turn-on

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- drive simplicity

Applications

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

TO-247 AD

Switched-mode and resonant-mode

Weight

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

T = 25°C

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J^J= 150°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

V_CE(sat)

= 40 A, V_GE= 15 V

T_J= 25°C

1.6

2.5

I^C_C= 160 A, V_GE= 15 V

DS99082(08/03)

12 3 4 5

下载PDF

与IXGH80N40B2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGH85N30C3	IXYS	GenX3 300V IGBT	获取价格
IXGH85N30C3	LITTELFUSE	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30	获取价格
IXGH9090	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 48A I(C) \| TO-247AD	获取价格
IXGH90N60B3	IXYS	GenX3 600V IGBT	获取价格
IXGI48N60C3	LITTELFUSE	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30	获取价格
IXGJ40N60C2D1	IXYS	HiPerFASTTM IGBTs w/ Diode	获取价格