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IXGH80N40B2

更新时间： 2024-11-18 21:21:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 532K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXGH80N40B2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：TO-247AD, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.73
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：80 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：400 ns
标称接通时间 (ton)：38 nsBase Number Matches：1

IXGH80N40B2 数据手册

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Advance Technical Data  
HiPerFASTTM IGBT  
VCES  
IC25  
= 400 V  
= 80 A  
IXGH 80N40B2  
VCE(sat) < 1.6 V  
tfityp = 85 ns  
Optimized for 10-30 KHz hard  
switching and up to 300 KHz  
resonant switching  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 AD  
(IXGH)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
400  
400  
V
V
TAB)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
C
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
80  
80  
240  
A
A
A
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ ≤ 300 V  
TC = 25°C  
ICM = 100  
A
Features  
400  
W
z
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
- drive simplicity  
Applications  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Md  
Mounting torque (M3)  
1.13/10Nm/lb.in.  
TO-247 AD  
z
Switched-mode and resonant-mode  
Weight  
6
g
power supplies  
z
AC motor speed control  
z
DC servo and robot drives  
z
DC choppers  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
3.0  
5.0  
V
VCE = V  
T = 25°C  
50  
1
µA  
VGE = 0CVES  
TJJ = 150°C  
mA  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
100  
nA  
VCE(sat)  
I
= 40 A, VGE = 15 V  
TJ = 25°C  
1.6  
2.5  
V
V
ICC = 160 A, VGE = 15 V  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS99082(08/03)  
12345

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