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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.8 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 540 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 244 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 62 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH80N40B2 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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| IXGH85N30C3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBT |
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| IXGH85N30C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH9090 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-247AD |
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| IXGH90N60B3 | IXYS |
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GenX3 600V IGBT |
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| IXGI48N60C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGJ40N60C2D1 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBTs w/ Diode |
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| IXGJ50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGJ50N60C4D1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ISOLATED TO |
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| IXGK100N170 | IXYS |
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High Voltage IGBT |
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