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IXGH50N60B2

更新时间： 2024-11-17 22:32:43

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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5页	586K
描述
HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs

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IXGH50N60B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	430 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGH50N60B2 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

IXGH 50N60B2

IXGT 50N60B2

B2-Class High Speed IGBTs

V_CE(sat)= 2.0 V

t_fityp= 65 ns

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

TO-268

(IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600V

I_CM= 80

P_C

T_C= 25°C

400

G = Gate,

C = Collector,

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

E = Emitter,

TAB = Collector

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

High frequency IGBT

High current handling capability

MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

- drive simplicity

Weight

TO-247 AD

TO-268

Applications

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

T = 25°C

µA

V_GE= 0^CV^ES

T_J^J= 150°C

Advantages

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 40 A, V_GE= 15 V

100

2.0

Very fast switching speeds for high

V_CE(sat)

1.6

1.5

frequency applications

T_J= 125°C

DS99145A(03/04)

12 3 4 5

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IXGH50N60B2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG11N120CND	ONSEMI	功能相似	1200 V NPT IGBT
HGTG20N60A4D	ONSEMI	功能相似	600V，SMPS IGBT
HGTG12N60A4D	ONSEMI	功能相似	600V，SMPS IGBT

与IXGH50N60B2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH50N60B4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBTs
IXGH50N60B4D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
IXGH50N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IXGH50N60C4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBTs
IXGH50N90B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGH50N90B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGH50N90B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH56N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT

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