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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 13 A | 集电极-发射极最大电压： | 2500 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 471 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH50N120C3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT |
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| IXGH50N120C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH50N50B | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD |
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| IXGH50N50BS | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD |
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| IXGH50N60A | IXYS |
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HiPerFAST IGBT - Surface Mountable |
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| IXGH50N60AS | IXYS |
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HiPerFAST IGBT - Surface Mountable |
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| IXGH50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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| IXGH50N60B2 | IXYS |
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HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs |
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| IXGH50N60B4 | IXYS |
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High-Gain IGBTs |
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| IXGH50N60B4D1 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, |
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