Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH50N60A

IXGH50N60A

更新时间： 2024-11-05 23:15:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
HiPerFAST IGBT - Surface Mountable

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IXGH50N60A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	200 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	880 ns	标称接通时间 (ton)：	290 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

IXGH50N60A 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

SurfaceMountable

IXGH50N60A

IXGH50N60AS

V_CES= 600 V

I_C25

75 A

V_CE(sat)= 2.7 V

t_fi

= 275 ns

TO-247 SMD

(50N60AS)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD

(50N60A)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 30 µH

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-247 SMD surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

High frequency IGBT

High current handling capability

2nd generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 SMD

TO-247 AD

- drive simplicity

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Switch-mode and resonant-mode

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

power supplies

Advantages

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

High power density

Suitable for surface mounting

Switching speed for high frequency

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.7

applications

Easy to mount with 1 screw, TO-247

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

(insulated mounting screw hole)

92797H(9/96)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH56N60A3	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBT

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IXGH50N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGH50N60B4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBTs
IXGH50N60B4D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247,
IXGH50N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
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IXGH50N90B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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