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IXGH48N60C3C1

更新时间： 2024-11-18 05:39:59

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	184K
描述
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

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IXGH48N60C3C1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247AD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	187 ns
标称接通时间 (ton)：	47 ns	Base Number Matches：	1

IXGH48N60C3C1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES

I_C110

V_CE(sat)

t_fi(typ)

= 600V

= 48A

≤ 2.5V

= 38ns

IXGH48N60C3C1

High Speed PT IGBT for

40 - 100kHz Switching

TO-247

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

Continuous

±20

±30

( TAB )

Transient

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_C= 25°C (Limited by Leads)

T_C= 110°C

TAB = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

T_C= 25°C

250

Features

I_A

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

E_AS

T_C= 25°C

300

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load

T_C= 25°C

I_CM= 100

@ < V_CES

300

^zAnti-Parallel Schottky Diode

^zFast Switching

^zAvalanche Rated

^zInternational Standard Package

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Advantages

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

T_SOLD

F_C

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

Applications

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zSMPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.5

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

50 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.3

1.8

2.5

DS100139A(06/09)

12 3 4 5 6

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IXGH48N60C3C1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH50N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH50N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N50B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXGH50N50BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD
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