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IXGH48N60C3

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	222K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGH48N60C3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.28	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	187 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

IXGH48N60C3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

IXGA48N60C3

IXGH48N60C3

IXGP48N60C3

V_CES= 600V

I_C110= 48A

V_CE(sat)≤ 2.5V

t_fi(typ)= 38ns

High Speed PT IGBTs for

40-100kHz switching

TO-263 (IXGA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

(TAB)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-247 (IXGH)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C ( Limited by Leads)

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

250

(TAB)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

300

TO-220 (IXGP)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 3Ω

Clamped Inductive Load @ ≤ 600V

I_CM= 100

(RBSOA)

P_C

T_C= 25°C

300

(TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Collector

-55 ... +150

E = Emitter

TAB = Collector

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

Features

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247&TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zOptimized for Low Switching Losses

^zSquare RBSOA

Weight

TO-247

TO-220

TO-263

6.0

3.0

2.5

^zAvalanche Rated

^zFast Switching

^zInternational Standard Packages

Advantages

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

5.5

Applications

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

25 μA

250 μA

^zHigh Frequency Power Inverters

^zUPS

T_J= 125°C

^zMotor Drives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

2.3

1.8

2.5

DS99953A(01/09)

12 3 4 5 6

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与IXGH48N60C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH48N60C3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
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IXGH48N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH48N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH50N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH50N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH50N50B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247AD
IXGH50N50BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247SMD

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