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IXGH48N60B3D1

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

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IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	201K
描述
GenX3 600V IGBT with Diode

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IXGH48N60B3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.1	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	48 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	200 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	347 ns	标称接通时间 (ton)：	44 ns
Base Number Matches：	1

IXGH48N60B3D1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

with Diode

V_CES= 600V

I_C110= 48A

V_CE(sat)≤ 1.8V

IXGH48N60B3D1

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

TO-247(IXGH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

( TAB )

I_C110

I_D110

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

280

TAB = Collector

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 120

(RBSOA)

Clamped inductive load @ ≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

300

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

^zOptimized for low conduction and

switching losses

-55 ... +150

^zSquare RBSOA

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zAnti-parallel ultra fast diode

^zInternational standard package

T_SOLD

M_d

Mounting torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

^zMotor Drives

^zSMPS

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

300 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

1.8

DS100036(09/08)

12 3 4 5 6 7

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IXGH48N60B3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH40N60B2D1	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGH39N60BD1	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH48N60B3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH48N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH48N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60C3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH48N60C3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH48N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH4N250C	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH4N250C	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, PLASTIC PA
IXGH50N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH50N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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