Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH39N60BD1

IXGH39N60BD1

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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IXYS		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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5页	155K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGH39N60BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	76 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	710 ns
标称接通时间 (ton)：	55 ns	Base Number Matches：	1

IXGH39N60BD1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH39N60B

IXGH39N60BD1 I_C25

IXGT39N60B

IXGT39N60BD1 t_fi

V_CES

= 600 V

= 76 A

V_CE(sat)= 1.7 V

= 200 ns

Preliminarydata

(D1)

TO-268

(IXGT)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

(IXGH)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

152

C (TAB)

SSOA

= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 22 Ω

= 76

C^Gla^Emped inductive load

@ 0^C.8^MV_CES

200

(RBSOA)

G = Gate,

C = Collector,

TAB = Collector

E = Emitter,

P_C

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

JEDEC TO-247 AD & TO-268

High current handling capability

Newest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque (M3)

TO-247

1.13/10Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

- drive simplicity

Applications

PFC circuits

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

AC motor speed control

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

DC servo and robot drives

Min. Typ. Max.

DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

= 250 µA, V_GE= 0 V

39N60B

600

Uninterruptible power supplies (UPS)

I_C^C= 750 µA

39N60BD1

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

= 250 µA, V_CE= V_GE

39N60B

2.5

5.0

I_C^C= 500 µA

39N60BD1 2.5

Advantages

V_CE= 0.8 • V_CEST_J= 25°C

39N60B

200 µA

High power density

V_GE= 0 V

T_J= 125°C

39N60B

Very fast switching speeds for high

39N60BD1

frequency applications

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

I_C= I₉₀, V_GE= 15 V

±100 nA

1.7

V_CE(sat)

DS97548A(02/03)

12 3 4 5

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IXGH39N60BD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH48N60B3D1	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBT with Diode

与IXGH39N60BD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH39N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 76A I(C) \| TO-247SMD
IXGH39N60CD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXGH40N120A2	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT Low V
IXGH40N120A2	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH40N120B2D1	IXYS	获取价格	High Voltage IGBTs w/Diode
IXGH40N120B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH40N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGH40N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH40N120C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 C3-Class IGBT w/Diode
IXGH40N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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