是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.71 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FAST |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 76 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 200 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 710 ns |
标称接通时间 (ton): | 55 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXGH48N60B3D1 | IXYS |
类似代替 |
GenX3 600V IGBT with Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH39N60BS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 76A I(C) | TO-247SMD | |
IXGH39N60CD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-247AD, | |
IXGH40N120A2 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBT Low V | |
IXGH40N120A2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH40N120B2D1 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage IGBTs w/Diode | |
IXGH40N120B2D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH40N120C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V IGBT | |
IXGH40N120C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH40N120C3D1 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 C3-Class IGBT w/Diode | |
IXGH40N120C3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 |