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IXGH40N30S

更新时间： 2024-11-17 21:54:19

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IXYS		双极性晶体管
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2页	96K
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HiPerFAST IGBT

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IXGH40N30S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	220 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	600 ns	标称接通时间 (ton)：	65 ns
Base Number Matches：	1

IXGH40N30S 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

CES

C25

CE(sat)

t_fi

IXGH40N30/S

300 V 60 A 1.8 V 220ns

IXGH40N30A/S 300 V 60 A 2.1 V 120ns

IXGH40N30B/S 300 V 60 A 2.4 V 75 ns

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 SMD*

V_CES

V_CGR

= 25°C to 150°C

= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ

300

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

TO-247 AD

I_C25

I_C90

I_CM

= 25°C

= 90°C

= 25°C, 1 ms

160

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

= 15 V, T = 125°C, R = 10 Ω

I = 80

Clamped inductive load, L = 30 µH

= 25°C

@ 0.8 V

CES

P_C

200

G = Gate,

E=Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

* Add suffix letter "S" for surface mountable

package

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s 260

300

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-247 AD and surface

mountable TO-247 SMD

• Highcurrenthandlingcapability

• Newest generation HDMOS

process

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-247 SMD

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T = 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

min. typ. max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

= 250 µA, V = 0 V

300

2.5

= 250 µA, V = V

I_CES

= 0.8 V

= 0 V

T = 25°C

T = 125°C

200 µA

CES

Advantages

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Switchingspeedforhighfrequency

1.8V

applications

I_GES

= 0 V, V = 20 V

100 nA

V_CE(sat)

= I , V

40N30

C90

40N30A

40N30B

2.1

2.4

• Easy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

97506E(11/01)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH40N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| 75A I(C) \| TO-247
IXGH40N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH40N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH40N60A3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IXGH40N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH40N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH40N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
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IXGH40N60C2	IXYS	获取价格	C2-Class High Speed IGBTs

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