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IXGH48N60B3

更新时间： 2024-11-18 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
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6页	222K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGH48N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.34
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	48 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	200 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	347 ns
标称接通时间 (ton)：	44 ns	Base Number Matches：	1

IXGH48N60B3 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

IXGA48N60B3

IXGP48N60B3

IXGH48N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 48A

V_CE(sat)≤ 1.8V

Medium speed low Vsat PT

IGBTs 5-40 kHz switching

TO-263 (IXGA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

(TAB)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-220 (IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

(TAB)

T_C= 25°C, 1ms

280

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 120

TO-247 (IXGH)

(RBSOA)

Clamped inductive load @ ≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

(TAB)

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

G = Gate

= Collector

E = Emitter

TAB = Collector

M_d

Mounting torque (TO-247)(TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zOptimized for low conduction and

switching losses

^zSquare RBSOA

^zInternational standard packages

Advantages

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Min.

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

Applications

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

25 μA

250 μA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

1.8

DS99938A(05/08)

12 3 4 5 6

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IXGH48N60B3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH40N60B2	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGH40N60B	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGH39N60B	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH48N60B3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH48N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH48N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH48N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
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IXGH48N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
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