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IXGH40N60B

更新时间： 2024-09-16 11:14:07

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	292K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGH40N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	570 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IXGH40N60B 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 40N60B

IXGT 40N60B

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

V_CE(sat)= 2.1 V

t_fi

= 180 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD

(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

TO-268 (D3)

(IXGT)

T_C= 25°C, 1 ms

150

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 80

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

C = Collector,

E = Emitter,

TAB = Collector

-55 ... +150

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

International standard packages

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10Nm/lb.in.

JEDEC TO-268 surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

High current handling capability

Latest generation HDMOS^TMprocess

MOS Gate turn-on

Weight

TO-247 AD

TO-247 SMD

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

BV_CEStemperature coefficient

600

2.5

%/K

Switched-mode and resonant-mode

0.072

power supplies

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

V_GE(th)temperature coefficient

-0.286

%/K

Advantages

Space savings (two devices in one

I_CES

V_CE= 0.8 V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

200

package)

High power density

Suitable for surface mounting

Switching speed for high frequency

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

applications

Easy to mount with 1 screw,TO-247

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

1.6

2.1

(isolated mounting screw hole)

98799 (01/01)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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