Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH40N60C2D1

IXGH40N60C2D1

更新时间： 2024-11-21 12:26:19

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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6页	175K
描述
HiPerFASTTM IGBTs w/ Diode

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IXGH40N60C2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	210 ns	标称接通时间 (ton)：	38 ns
Base Number Matches：	1

IXGH40N60C2D1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBTs

w/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 40A

V_CE(SAT)≤ 2.7V

t_fi(typ)= 32ns

IXGT40N60C2D1

IXGJ40N60C2D1

IXGH40N60C2D1

C2-Class High Speed IGBTs

TO-268 (IXGT)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-268 (IXGJ)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

T_C= 25°C ( Limited by Lead)

T_C= 110°C

C (Tab)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

200

TO-247 (IXGH)

SSOA

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 80

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)

-55 ... +150

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Tab = Collector

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

^zVery High Frequency IGBT

^zSquare RBSOA

^zHigh Current Handling Capability

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

^zAC Motor Speed Control

^zDC Servo and Robot Drives

^zDC Choppers

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

200 μA

±100 nA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

2.2

1.7

2.7

Advantages

^zHigh Power Density

^zVery Fast Switching Speeds for High

Frequency Applications

^zHigh Power Surface Mountable

Packages

DS99041F(11/10)

12 3 4 5 6

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IXGH40N60C2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH41N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH42N30C3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBT
IXGH42N30C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH45N120	IXYS	获取价格	IGBT
IXGH45N120	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH48N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH48N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH48N60A3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGH48N60A3D1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
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