是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 75 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-247 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 210 ns | 标称接通时间 (ton): | 38 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IGW60T120 | INFINEON |
功能相似 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology | |
IGW40T120 | INFINEON |
功能相似 |
Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGH41N60 | IXYS |
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Ultra-Low VCE(sat) IGBT | |
IXGH42N30C3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBT | |
IXGH42N30C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGH45N120 | IXYS |
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IGBT | |
IXGH45N120 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH48N60A3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT | |
IXGH48N60A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH48N60A3D1 | IXYS |
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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications | |
IXGH48N60A3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGH48N60B3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 600V IGBT |