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IXGH48N60A3D1

更新时间： 2024-11-19 14:56:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	229K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGH48N60A3D1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

w/Diode

V_CES= 600V

I_C110= 48A

V_CE(sat)≤ 1.35V

IXGH48N60A3D1

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

Tab

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

300

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 96

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ ≤ V_CES

Optimized for Low Conduction Losses

Square RBSOA

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

High Current Handling Capability

International Standard Package

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Advantages

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.0

5.5

Inrush Current Protection Circuits

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

300 μA

T_J= 125°C

1.75 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

1.18

1.35

DS99926B(11/11)

12 3 4 5 6 7 8

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