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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH39N60CD1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-247AD, |
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| IXGH40N120A2 | IXYS |
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High Voltage IGBT Low V |
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| IXGH40N120A2 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 |
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| IXGH40N120B2D1 | IXYS |
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High Voltage IGBTs w/Diode |
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| IXGH40N120B2D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH40N120C3 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBT |
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| IXGH40N120C3 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH40N120C3D1 | IXYS |
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GenX3 C3-Class IGBT w/Diode |
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| IXGH40N120C3D1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH40N30 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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