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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.41 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 270 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 380 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 770 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 79 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGH40N120C3 | IXYS |
获取价格 |
GenX3 1200V IGBT |
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| IXGH40N120C3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH40N120C3D1 | IXYS |
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GenX3 C3-Class IGBT w/Diode |
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| IXGH40N120C3D1 | LITTELFUSE |
获取价格 |
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30 |
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| IXGH40N30 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGH40N30A | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGH40N30AS | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGH40N30B | IXYS |
获取价格 |
HiPerFAST IGBT |
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| IXGH40N30BD1 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFASTTM IGBT |
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| IXGH40N30BD1S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD |
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