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IXGH36N60B3D1

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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IXYS		二极管双极性晶体管
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7页	174K
描述
GenX3 600V IGBT w/ Diode

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IXGH36N60B3D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.8
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	160 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	350 ns
标称接通时间 (ton)：	45 ns

IXGH36N60B3D1 数据手册

GenX3^TM600V IGBT

w/ Diode

V_CES

I_C110

= 600V

= 36A

IXGH36N60B3D1

V_CE(sat)≤ 1.8V

Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT

for 5 - 40kHz Switching

TO-247

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_C= 110°C

TAB = Collector

T_C= 25°C, 1ms

200

SSOA

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 80

Features

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE≤ V_CES

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

P_C

T_C= 25°C

250

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zSquare RBSOA

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zInternational Standard Package

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

^zPower Inverters

^zUPS

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

300

μA

T_J=125°C

1.75

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

1.5

1.8

DS99903B(07/09)

12 3 4 5 6 7

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IXGH36N60B3D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG20N60A4	ONSEMI	功能相似	IGBT，600V，SMPS
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH36N60B3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH36N60B3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60B3D4	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH38N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH38N60U1	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH39N60B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH39N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH39N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 76A I(C) \| TO-247SMD
IXGH39N60CD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-247AD,
IXGH40N120A2	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT Low V
IXGH40N120A2	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对

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