Datasheet > IXGH35N120B

IXGH35N120B

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH35N120B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

IXGH35N120B 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 35N120B V_CES= 1200 V

IXGT 35N120B I_C2

V_CE(sat)

70 A

3.3 V

t_fi(typ)= 160 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 W

I_CM= 90

C (TAB)

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Low switching losses, low V_(sat)

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.3

T_J= 125°C

2.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98665(11/99)

1 - 2

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXGH35N120B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH35N120C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGH36N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60A3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGH36N60A3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH36N60A3D4	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH36N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH36N60B3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/ Diode

与IXGH35N120B相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH35N120B

IXGH35N120B 技术参数

IXGH35N120B 数据手册

与IXGH35N120B相关器件

与IXGH35N120B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH35N120B

IXGH35N120B 技术参数

IXGH35N120B 数据手册

与IXGH35N120B相关器件

与IXGH35N120B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？