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IXGH36N60A3

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	227K
描述
GenX3 600V IGBT

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IXGH36N60A3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.43	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	36 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1000 ns
标称接通时间 (ton)：	43 ns	Base Number Matches：	1

IXGH36N60A3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

IXGA36N60A3

IXGP36N60A3

IXGH36N60A3

V_CES= 600V

I_C110= 36A

V_CE(sat)≤ 1.4V

Ultra Low Vsat PT IGBT for

up to 5kHz switching

TO-263 (IXGA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

TO-220 (IXGP)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

(TAB)

I_C110

I_CM

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

TO-247 (IXGH)

(RBSOA)

Clamped inductive load @ ≤ 600V

P_C

T_C= 25°C

220

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

(TAB)

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

T_SOLD

TAB = Collector

M_d

Mounting torque (TO-247 & TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zOptimized for low conduction losses

^zInternational standard packages

Advantages

^zHigh power density

^zLow gate drive requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

600

3.0

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

^zMotor Drives

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0V

25 μA

250 μA

^zSMPS

^zPFC Circuits

T_J= 125°C

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 30A, V_GE= 15V, Note 1

1.4

DS100006(07/08)

12 3 4 5 6

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IXGH36N60A3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH30N60A	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH24N60A	IXYS	类似代替	HiPerFAST IGBT
IXGH38N60	IXYS	类似代替	Ultra-Low VCE(sat) IGBT

与IXGH36N60A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH36N60A3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH36N60A3D4	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH36N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH36N60B3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/ Diode
IXGH36N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60B3D4	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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