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IXGH30N60A

更新时间： 2024-09-15 22:47:59

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IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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2页	68K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

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IXGH30N60A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	500 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	850 ns	标称接通时间 (ton)：	300 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

IXGH30N60A 数据手册

V_CES

600 V 50 A 2.5 V

IXGH/IXGM 30 N60A 600 V 50 A 3.0 V

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGH/IXGM 30 N60

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXGM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 100 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

30N60

30N60A

2.5

3.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91512E (3/96)

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IXGH30N60A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH36N60A3	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBT
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH30N60A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60AU1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXGH30N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
IXGH30N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N60B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH30N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60B4	IXYS	获取价格	High-Gain IGBT
IXGH30N60BD1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGH30N60BS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH30N60BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode

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