Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH35N120C

IXGH35N120C

更新时间： 2024-11-04 22:11:51

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IXYS		晶体晶体管开关功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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2页	56K
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IGBT Lightspeed Series

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IXGH35N120C 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	480 ns	标称接通时间 (ton)：	86 ns
Base Number Matches：	1

IXGH35N120C 数据手册

Advance Technical Information

IXGH 35N120C V_CES= 1200 V

IGBT

Lightspeed Series

IXGT 35N120C I_C25

70 A

V_CE(sat)= 4.0 V

t_fi(typ)= 115 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 W

Clampedinductiveload

I_CM= 90

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

300

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 surface and

JEDEC TO-247 AD

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Low switching losses

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 mA

Advantages

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

4.0

T_J= 125°C

3.2

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98717(4/18/2000)

1 - 2

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IXGH35N120C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HGTG20N60A4	ONSEMI	功能相似	IGBT，600V，SMPS
IGW60T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IXGH35N120C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH36N60A3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60A3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXGH36N60A3D4	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH36N60A3D4	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH36N60B3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH36N60B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH36N60B3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH36N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/ Diode
IXGH36N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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