Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH35N120B

IXGH35N120B

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
HiPerFAST IGBT

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IXGH35N120B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
其他特性：	LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	660 ns
标称接通时间 (ton)：	86 ns	Base Number Matches：	1

IXGH35N120B 数据手册

Advance Technical Information

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 35N120B V_CES= 1200 V

IXGT 35N120B I_C2

V_CE(sat)

70 A

3.3 V

t_fi(typ)= 160 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-268

(IXGT)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (TAB)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD (IXGH)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

140

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 5 W

I_CM= 90

C (TAB)

(RBSOA)

Clampedinductiveload

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s

300

260

°C

Features

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-268 and

JEDEC TO-247 AD

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Low switching losses, low V_(sat)

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 750 mA, V_CE= V_GE

1200

2.5

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• High power density

• Suitableforsurfacemounting

• Easy to mount with 1 screw,

(isolatedmountingscrewhole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

3.3

T_J= 125°C

2.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98665(11/99)

1 - 2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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