IXGH32N60AU1S

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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IXYS		晶体二极管晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
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描述
HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

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IXGH32N60AU1S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247SMD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	175 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	200 W	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	400 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	VCEsat-Max：	2.9 V
Base Number Matches：	1

IXGH32N60AU1S 数据手册

IXGH 32N60AU1

IXGH 32N60AU1S

V_CES= 600 V

HiPerFAST^TMIGBT

I_C25

= 60 A

with Diode

V_CE(sat)= 2.9V

Combi Pack

t_fi

= 125 ns

TO-247 SMD

(32N60AU1S)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

C (TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 AD

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

C (TAB)

T_C= 25°C, 1 ms

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, L = 100 µH

I_CM= 64

@ 0.8 V_CES

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

^●International standard packages

JEDEC TO-247 SMD surface

mountable and JEDEC TO-247 AD

^●High frequency IGBT and antiparallel

FRED in one package

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Maximum Lead and Tab temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

^●High current handling capability

^●2nd generation HDMOS^TMprocess

^●MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque, TO-247 AD

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 SMD

TO-247 AD

- drive simplicity

Applications

^●AC motor speed control

^●DC servo and robot drives

^●DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^●Uninterruptible power supplies (UPS)

^●Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 750µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

Advantages

5.5

^●Space savings (two devices in one

package)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500 µA

^●High power density

^●Suitable for surface mounting

^●Switching speed for high frequency

applications

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.9

^●Easy to mount with 1 screw, TO-247

(isolated mounting screw hole)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

92794H (3/96)

IXYS Corporation

IXYS Semiconductor GmbH

3540 Bassett Street, Santa Clara, CA 95054

Phone: (408) 982-0700 Fax: 408-496-0670

Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim

Phone: +49-6206-503-0 Fax: +49-6206-503627

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