IXGH32N60C

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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IXYS		双极性晶体管
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4页	120K
描述
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series

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IXGH32N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
其他特性：	FAST	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	60 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	110 ns	标称接通时间 (ton)：	25 ns
Base Number Matches：	1

IXGH32N60C 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

Lightspeed^TMSeries

IXGH 32N60C

IXGT 32N60C

V_CES

I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)typ= 2.1 V

t_{fi typ}= 55 ns

TO-268

(IXGT)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

TO-247 AD

(IXGH)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

120

C (TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 64

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackages

JEDEC TO-247 and surface

mountableTO-268

M_d

Mountingtorque(M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247 AD

TO-268

• Highcurrenthandlingcapability

• Latest generation HDMOS^TMprocess

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

Symbol

BV_CES

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• PFC circuits

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

V_GE(th)

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 150°C

200

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• High power density

• Very fast switching speeds for high

frequencyapplications

V_CE(sat)

I_C= I_C110, V_GE= 15 V

2.1

2.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97538B(7/00)

1 - 4

12 3 4

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IXGH32N60C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STGW30NC60WD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Swit
STGW20NC60VD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT

与IXGH32N60C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH32N60CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode
IXGH32N60CS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 60A I(C) \| TO-247SMD
IXGH32N90B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT B2-Class High Speed IGBTs
IXGH32N90B2	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH32N90B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Fast Diode
IXGH34N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH35N120	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series
IXGH35N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGH35N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH35N120C	IXYS	获取价格	IGBT Lightspeed Series

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