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IXGH32N100A3

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

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IXYS		双极性晶体管
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描述
GenX3 1000V IGBT

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IXGH32N100A3 数据手册

Advance Technical Information

GenX3^TM1000V IGBT

IXGH32N100A3

IXGT32N100A3

V_CES= 1000V

I_C25= 75A

V_CE(sat)≤ 2.2V

Ultra-low Vsat PT IGBTs

for up to 4 kHz switching

TO-247(IXGH)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1000

C(TAB)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 ( IXGT)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C, IGBT chip capability

T_C= 110°C

T_J≤ 150°C, tp < 300μs

200

C(TAB)

I_AS

T_C=25°C

E_AS

120

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped inductive load @ ≤ 0.8 • V_CES

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

TAB = Collector

P_C

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

• International standard packages

• Low saturation voltage

• AvalancheRated

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247 )

1.13 / 10

Nm/lb.in.

• MOS gate turn-on

Weight

TO-247

TO-268

- drive simplicity

• Epoxy molding meets UL 94V-O

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

• Pulsercircuits

• Capacitordischarge

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES

5.0

50 μA

1 mA

V_GE= 0V

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

I_C= 32A, V_GE= 15V, Note 1

±100 nA

V_CE(sat)

1.90

2.05

2.2

DS99958(02/08)

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