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IXGH32N50BU1S

更新时间： 2024-11-17 22:41:11
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IXYS 二极管双极性晶体管
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2页 55K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack

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IXGH32N50BU1S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：TO-247, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：150 ns门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PSFM-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：120 ns
标称接通时间 (ton)：25 nsBase Number Matches：1

IXGH32N50BU1S 数据手册

 浏览型号IXGH32N50BU1S的Datasheet PDF文件第2页 
Preliminary Data Sheet  
HiPerFASTTM IGBT  
withDiode  
Combi Pack  
IXGH32N50BU1  
IXGH32N50BU1S  
VCES  
IC25  
VCE(sat)  
tfi  
= 500 V  
=
=
60 A  
2.0 V  
= 80 ns  
TO-247 SMD  
(32N50BU1S)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
C (TAB)  
G
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
500  
500  
V
V
E
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-247 AD  
IC25  
IC90  
ICM  
TC = 25°C  
60  
A
A
A
TC = 90°C  
32  
TAB)  
TC = 25°C, 1 ms  
120  
G
SSOA  
(RBSOA)  
V
GE= 15 V, TVJ = 125°C, RG = 33 Ω  
ICM = 64  
@ 0.8 VCES  
A
C
E
Clamped inductive load, L = 100 µH  
G = Gate,  
E = Emitter,  
C = Collector,  
TAB = Collector  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
l
International standard packages  
JEDEC TO-247 SMD surface  
mountable and JEDEC TO-247 AD  
High frequency IGBT and antiparallel  
FRED in one package  
High current handling capability  
Newest generation HDMOSTM process  
MOS Gate turn-on  
Maximum Lead and Tab temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Md  
Mounting torque, TO-247 AD  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
Weight  
TO-247 SMD  
TO-247 AD  
4
6
g
g
l
l
l
- drive simplicity  
Applications  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
l
AC motor speed control  
DC servo and robot drives  
DC choppers  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
l
min. typ. max.  
l
l
BVCES  
VGE(th)  
IC = 750µA, VGE = 0 V  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
500  
2.5  
V
l
5.5  
V
ICES  
VCE = 0.8 • VCES  
VGE = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
500  
8
µA  
mA  
Advantages  
l
Space savings (two devices in one  
IGES  
VCE = 0 V, VGE = ±20 V  
±100  
nA  
V
package)  
High power density  
Very fast switching speeds for high  
l
VCE(sat)  
IC = IC90, VGE = 15 V  
2.0  
l
frequency applications  
© 1997 IXYS All rights reserved  
95565A(4/97)  
12

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