Datasheet > IXGH30N60C2D1

IXGH30N60C2D1

更新时间： 2024-11-18 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	163K
描述
HiPerFAST IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH30N60C2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	70 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	210 ns
标称接通时间 (ton)：	30 ns	Base Number Matches：	1

IXGH30N60C2D1 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

IXGH 30N60C2D1

IXGT 30N60C2D1

V_CES

I_C25

= 600 V

= 70 A

with Diode

V_CE(sat)= 2.7 V

C2-Class High Speed IGBTs

t_fityp

= 32 ns

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

C (TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

TO-268 (IXGT)

T_C= 25°C, 1 ms

150

SSOA

(RBSOA)

P_C

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ ≤ 600 V

T_C= 25°C

I_CM= 60

190

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

-55 ... +150

Features

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10s

300

250

°C

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

- drive simplicity

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

PFC circuits

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switched-mode and resonant-mode

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

2.5

5.0

power supplies

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200

µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 24 A, V_GE= 15 V

100

2.7

Advantages

V_CE(sat)

T_J= 25°C

T_J= 125°C

High power density

1.8

Very fast switching speed for high

frequency aaplications

High power surface mountable

package

DS99169A(01/05)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXGH30N60C2D1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STGW45HF60WD	STMICROELECTRONICS	功能相似	45 A, 600 V ultrafast IGBT with ultrafast diode
STGW45HF60WDI	STMICROELECTRONICS	功能相似	45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode
APT44GA60BD30	MICROSEMI	功能相似	High Speed PT IGBT

与IXGH30N60C2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60C3	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT
IXGH30N60C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60C3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH30N60C3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH30N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXGH31N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60D1	IXYS	获取价格	Ultra-Low V IGBT with Diode
IXGH31N60U1	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode

与IXGH30N60C2D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH30N60C2D1

IXGH30N60C2D1 技术参数

IXGH30N60C2D1 数据手册

IXGH30N60C2D1 替代型号

与IXGH30N60C2D1相关器件

与IXGH30N60C2D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGH30N60C2D1

IXGH30N60C2D1 技术参数

IXGH30N60C2D1 数据手册

IXGH30N60C2D1 替代型号

与IXGH30N60C2D1相关器件

与IXGH30N60C2D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？