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APT44GA60BD30

更新时间： 2024-11-18 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 242K
描述
High Speed PT IGBT

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APT44GA60BD30 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：78 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：337 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：208 ns标称接通时间 (ton)：29 ns
Base Number Matches：1

APT44GA60BD30 数据手册

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APT44GA60BD30  
APT44GA60SD30  
600V  
High Speed PT IGBT  
POWER MOS 8® is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low Eoff is achieved  
APT44GA60SD30  
D3PAK  
through leading technology silicon design and lifetime control processes. A reduced Eoff  
-
VCE(ON) tradeoff results in superior efficiency compared to other IGBT technologies. Low  
gate charge and a greatly reduced ratio of Cres/Cies provide excellent noise immunity, short  
delay times and simple gate drive. The intrinsic chip gate resistance and capacitance of the  
poly-silicone gate structure help control di/dt during switching, resulting in low EMI, even  
APT44GA60BD30  
when switching at high frequency.  
Combi (IGBT and Diode)  
FEATURES  
TYPICAL APPLICATIONS  
• Fast switching with low EMI  
• Very Low Eoff for maximum efficiency  
• Ultra low Cres for improved noise immunity  
• Low conduction loss  
• ZVS phase shifted and other full bridge  
• Half bridge  
• High power PFC boost  
• Welding  
• Low gate charge  
• UPS, solar, and other inverters  
• High frequency, high efficiency industrial  
• Increased intrinsic gate resistance for low EMI  
• RoHS compliant  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
Ratings  
Unit  
Collector Emitter Voltage  
600  
V
Vces  
IC1  
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 100°C  
Pulsed Collector Current 1  
78  
44  
A
IC2  
ICM  
130  
VGE  
Gate-Emitter Voltage 2  
±30  
V
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
337  
W
SSOA  
TJ, TSTG  
TL  
130A @ 600V  
-55 to 150  
°C  
Lead Temperature for Soldering: 0.063" from Case for 10 Seconds  
300  
Static Characteristics  
Symbol Parameter  
T = 25°C unless otherwise specified  
J
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VBR(CES)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
VGE = 0V, IC = 1.0mA  
600  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2.0  
1.9  
4.5  
2.5  
VGE = 15V,  
IC = 26A  
V
VCE(on)  
VGE(th)  
ICES  
Collector-Emitter On Voltage  
Gate Emitter Threshold Voltage  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leakage Current  
VGE =VCE , IC = 1mA  
3
6
TJ = 25°C  
275  
VCE = 600V,  
VGE = 0V  
μA  
TJ = 125°C  
3000  
±100  
IGES  
VGS = ±30V  
nA  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
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APT44GA60BD30 替代型号

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