5秒后页面跳转
APT4530AN PDF预览

APT4530AN

更新时间: 2024-11-17 22:39:11
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲高压局域网高电压电源
页数 文件大小 规格书
4页 375K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

APT4530AN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.3 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

APT4530AN 数据手册

 浏览型号APT4530AN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT4530AN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT4530AN的Datasheet PDF文件第4页 

与APT4530AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT4530BN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247AD
APT4530BN-BUTT ADPOW

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT4530BN-BUTT MICROSEMI

获取价格

21A, 450V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4530BN-GULLWING ADPOW

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
APT4530CN ADPOW

获取价格

Transistor
APT4530DN ADPOW

获取价格

Transistor
APT4530HN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258ISO
APT4540AN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 14.5A I(D) | TO-3
APT4540BN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD
APT4540CN ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254ISO