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APT44GA60BD30C

更新时间： 2024-11-18 21:09:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	227K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 78A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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APT44GA60BD30C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	78 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	337 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	292 ns
标称接通时间 (ton)：	29 ns	Base Number Matches：	1

APT44GA60BD30C 数据手册

APT44GA60BD30C

APT44GA60SD30C

600V

High Speed PT IGBT

APT44GA60SD30C

POWER MOS 8^®is a high speed Punch-Through switch-mode IGBT. Low E_offis

achieved through leading technology silicon design and lifetime control processes. A

reduced E_off- V_CE(ON)tradeoff results in superior efﬁciency compared to other IGBT tech-

nologies. Low gate charge and a greatly reduced ratio of C_res/C_iesprovide excellent noise

immunity, short delay times and simple gate drive. The intrinsic chip gate resistance and

capacitance of the poly-silicone gate structure help control di/dt during switching, resulting

in low EMI, even when switching at high frequency. The "C" represents a standard custom

part. This device has a lower V_CE(on)than the standard Mos 8 IGBT and Diode combi.

D³PAK

APT44GA60BD30C

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• Fast switching with low EMI

• Very Low E_offfor maximum efﬁciency

• Ultra low C_resfor improved noise immunity

• Low conduction loss

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Half bridge

• High power PFC boost

• Welding

• Low gate charge

• UPS, solar, and other inverters

• High frequency, high efﬁciency industrial

• Increased intrinsic gate resistance for low EMI

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Ratings

Unit

Collector Emitter Voltage

600

V_ces

I_C1

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

Pulsed Collector Current ¹

I_C2

I_CM

130

V_GE

Gate-Emitter Voltage ²

±30

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

337

SSOA

T_J, T_STG

T_L

130A @ 600V

-55 to 150

°C

Lead Temperature for Soldering: 0.063" from Case for 10 Seconds

300

Static Characteristics

Symbol Parameter

T = 25°C unless otherwise speciﬁed

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_BR(CES)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_GE= 0V, I_C= 1.0mA

600

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1.5

1.9

4.5

1.6

V_GE= 15V,

I_C= 26A

V_CE(on)

V_GE(th)

I_CES

Collector-Emitter On Voltage

Gate Emitter Threshold Voltage

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leakage Current

V_GE=V_CE, I_C= 1mA

T_J= 25°C

275

V_CE= 600V,

V_GE= 0V

μA

T_J= 125°C

3000

±100

I_GES

V_GS= ±30V

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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