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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 295 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT4510DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 50A I(D) | CHIP |
|
| APT4510EN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT4510FN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 50A I(D) | F-PACK SIP |
|
| APT4511AFN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 450V V(BR)DSS | 49A I(D) |
|
| APT4511DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| APT451R1AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-3 |
|
| APT451R1BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247AD |
|
| APT451R1BN-BUTT | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT451R1BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| APT451R1CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-254ISO |
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