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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 94 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 70 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 48 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT451R1BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT451R1CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-254ISO |
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| APT451R1GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-257ISO |
|
| APT4520DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT4523DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT4525AN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT4525BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
|
| APT4525BN-BUTT | MICROSEMI |
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23A, 450V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT4525BN-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
23A, 450V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
|
| APT4525BN-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 450V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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