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APT451R1AN

更新时间: 2024-02-12 20:31:20
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 212K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-3

APT451R1AN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.5 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):100 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

APT451R1AN 数据手册

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