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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT4525BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
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| APT4525BN-BUTT | MICROSEMI |
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23A, 450V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT4525BN-GULLWING | MICROSEMI |
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23A, 450V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
|
| APT4525BN-GULLWING | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 450V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT4525DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | CHIP |
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| APT4525HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
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| APT4530AN | ADPOW |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT4530BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-247AD |
|
| APT4530BN-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| APT4530BN-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
21A, 450V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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