Datasheet > IXGH30N60C3

IXGH30N60C3

更新时间： 2024-11-07 14:56:27

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	338K
描述
GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 300V? GenX3? IGBT提供高达150 kHz的开关性能，电流范围在42A至120A之间。由于兼具

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGH30N60C3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXGH30N60C3 数据手册

GenX3^TM600V

IGBTs

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 3.0V

t_fi(typ)= 47ns

IXGA30N60C3

IXGP30N60C3*

IXGH30N60C3

*Obsolete Part Number

High-Speed PT IGBTs for

40-100kHz Switching

TO-263 AA (IXGA)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

C(Tab)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

TO-220AB(IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

C(Tab)

T_C= 25°C, 1ms

150

TO-247(IXGH)

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

220

T_J

-55 ... +150

150

°C

C(Tab)

T_JM

T_stg

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

S = Emitter

Tab = Collector

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

T_SOLD

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

2.5

3.0

^ꢀOptimized for Low Switching Losses

^ꢀSquareRBSOA

^ꢀInternational Standard Packages

Advantages

^ꢀHigh Power Density

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^ꢀLow Gate Drive Requirement

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Applications

5.5

^ꢀHigh Frequency Power Inverters

^ꢀUPS

15 μA

300 μA

T_J= 125°C

^ꢀMotorDrives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^ꢀSMPS

^ꢀPFCCircuits

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.6

1.8

3.0

^ꢀBatteryChargers

^ꢀWeldingMachines

^ꢀLampBallasts

DS100012B(05/11)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXGH30N60C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60C3C1	IXYS	获取价格	GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IXGH30N60C3C1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH30N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXGH31N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60D1	IXYS	获取价格	Ultra-Low V IGBT with Diode
IXGH31N60U1	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH32N100A3	IXYS	获取价格	GenX3 1000V IGBT
IXGH32N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V