Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH30N60C3C1

IXGH30N60C3C1

更新时间： 2024-11-18 05:39:55

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IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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7页	281K
描述
GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode

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IXGH30N60C3C1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.34	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	220 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	160 ns
标称接通时间 (ton)：	37 ns	Base Number Matches：	1

IXGH30N60C3C1 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V IGBT

w/ SiC Anti-Parallel

Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat)≤ 3.0V

t_fi(typ)= 47ns

IXGA30N60C3C1

IXGP30N60C3C1

IXGH30N60C3C1

High Speed PT IGBTs for

40 - 100kHz Switching

TO-263(IXGA)

C (TAB)

Symbol Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220(IXGP)

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

C (TAB)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247(IXGH)

150

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@ ≤ V_CES

P_C

T_C= 25°C

220

C (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

E = Emitter

= Collector

TAB = Collector

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

T_SOLD

^ꢀOptimized for Low Switching Losses

^ꢀSquareRBSOA

^ꢀAnti-Parallel Schottky Diode

^ꢀInternational Standard Packages

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

^ꢀHigh Power Density

^ꢀLow Gate Drive Requirement

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3.5

5.5

Applications

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

25 μA

300 μA

^ꢀHigh Frequency Power Inverters

^ꢀUPS

T_J= 125°C

^ꢀMotorDrives

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^ꢀSMPS

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.6

1.8

3.0

^ꢀPFCCircuits

^ꢀBatteryChargers

^ꢀWeldingMachines

^ꢀLampBallasts

DS100142A(06/09)

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IXGH30N60C3C1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC50WPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
STGW20NC60VD	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGH30N60C3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGH30N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGH30N60U1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247AD
IXGH31N60	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60D1	IXYS	获取价格	Ultra-Low V IGBT with Diode
IXGH31N60U1	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH32N100A3	IXYS	获取价格	GenX3 1000V IGBT
IXGH32N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V
IXGH32N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH32N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT

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