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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGH30N60C3D1
IXGH30N60C3D1 PDF预览

IXGH30N60C3D1

更新时间： 2024-11-06 11:14:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
GenX3 600V IGBT with Diode

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IXGH30N60C3D1 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.42
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：60 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：220 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：160 ns标称接通时间 (ton)：45 ns
Base Number Matches：1

IXGH30N60C3D1 数据手册

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GenX3TM 600V IGBT  
with Diode  
VCES  
IC110  
VCE(sat)  
tfi(typ)  
= 600V  
= 30A  
≤ 3.0V  
= 47ns  
IXGH30N60C3D1  
IXGT30N60C3D1  
High speed PT IGBTs for  
40-100 kHz Switching  
TO-268 (IXGT)  
G
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1MΩ  
E
VGES  
VGEM  
IC25  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
60  
V
V
A
A
A
A
C (TAB)  
TO-247(IXGH)  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
IC110  
ID110  
ICM  
30  
30  
150  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω  
ICM = 60  
A
G
C
Clamped inductive load @ VCE ≤ 600V  
E
( TAB )  
TC = 25°C  
220  
W
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TAB = Collector  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
z Optimized for low switching losses  
z Square RBSOA  
z Anti-parallel ultra fast diode  
z International standard packages  
FC  
Mounting torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4
6
g
g
Advantages  
z High power density  
z Low gate drive requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
Min.  
Typ.  
Max.  
z High Frequency Power Inverters  
z UPS  
BVCES  
VGE(th)  
IC  
IC  
= 250μA, VGE = 0V  
= 250μA, VCE = VGE  
600  
3.5  
V
V
5.5  
z Motor Drives  
ICES  
VCE = VCES  
VGE = 0V  
75 μA  
1 mA  
z SMPS  
z PFC Circuits  
TJ = 125°C  
z Battery Chargers  
z Welding Machines  
z Lamp Ballasts  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
VCE(sat)  
IC  
= 20A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 125°C  
2.6  
1.8  
3.0  
V
V
DS100013A(11/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
1234567

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与IXGH30N60C3D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXGH30N60U1 ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
IXGH31N60 IXYS

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 		Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH31N60D1 IXYS

获取价格

 		Ultra-Low V IGBT with Diode
IXGH31N60U1 IXYS

获取价格

 		Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH32N100A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1000V IGBT
IXGH32N120A3 IXYS

获取价格

 		GenX3 1200V
IXGH32N120A3 LITTELFUSE

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 		IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对
IXGH32N170 IXYS

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 		High Voltage IGBT
IXGH32N170 LITTELFUSE

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 		功能与特色: 应用:?
IXGH32N170A IXYS

获取价格

 		High Voltage IGBT

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