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IXGH31N60

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
Ultra-Low VCE(sat) IGBT

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IXGH31N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	1100 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1600 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	VCEsat-Max：	1.8 V
Base Number Matches：	1

IXGH31N60 数据手册

Ultra-Low V_CE(sat)IGBT

IXGH 31N60 V_CES

IXGT 31N60 I_C25

= 600 V

= 60 A

V_CE(sat)= 1.7 V

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

Clamped inductive load, L = 100 mH

I_CM= 62

@ 0.8 V_CES

(TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque(M3)TO-247

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• Internationalstandardpackage

• Low V_CE(sat)

- forminimumon-stateconduction

losses

Weight

TO-247

TO-268

• Highcurrenthandlingcapability

• MOS Gate turn-on

- drivesimplicity

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

min. typ. max.

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

500 mA

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Low losses, high efficiency

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

1.7

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

92795G(7/00)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGH36N60A3	IXYS	类似代替	GenX3 600V IGBT

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXGH31N60U1	IXYS	获取价格	Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
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IXGH32N120A3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V
IXGH32N120A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGH32N170	IXYS	获取价格	High Voltage IGBT
IXGH32N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
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