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IRG4PC50WPBF

更新时间： 2024-02-27 20:54:48
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制瞄准线栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 243K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4PC50WPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：55 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：86 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：272 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC50WPBF 数据手册

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PD - 94858  
IRG4PC50WPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
• Designed expressly for Switch-Mode Power  
Supply and PFC (power factor correction)  
applications  
C
VCES = 600V  
• Industry-benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
• Low IGBT conduction losses  
VCE(on) max. = 2.30V  
G
@VGE = 15V, IC = 27A  
• Latest-generation IGBT design and construction  
offers tighter parameters distribution, exceptional  
reliability  
E
n-channel  
• Lead-Free  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation than power MOSFETs up to 150 kHz  
("hard switched" mode)  
• Of particular benefit to single-ended converters and  
boost PFC topologies 150W and higher  
• Low conduction losses and minimal minority-carrier  
recombination make these an excellent option for  
resonant mode switching as well (up to >300 kHz)  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
55  
IC @ TC = 100°C  
27  
A
ICM  
220  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
220  
VGE  
± 20  
170  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
200  
W
°C  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
11/26/03  
12345678

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IRG4PC50WPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50SPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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