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IRG4PC60U-EP

更新时间： 2024-01-19 01:50:52

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	126K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC60U-EP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
其他特性：	ULTRA FAST SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	460 ns	标称接通时间 (ton)：	78 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC60U-EP 数据手册

PD - 94441

IRG4PC60U-P

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

UltraFast Speed IGBT

Features

• UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 50 kHz in hard switching and

>200 kHz in resonant mode.

V_CES=600V

• Application in UPS, Welding and High Current power

supply.

_{CE(on) typ.}= 1.6V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency.

• Solder plated version of industry standard

TO-247AC package.

@V_GE= 15V, I_C= 40A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available.

• Solder plated version of the TO-247 allows the reflow

soldering of the package heatsink to a substrate material.

• Designed for best performance when used with IR

HEXFRED & IR FRED companion diodes.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

300

± 20

200

520

210

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Maximum Reflow Temperature

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

230 (Time above 183°C

should not exceed 100s)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

----

Max.

0.24

----

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.24

----

°C/W

Junction-to-Ambient (Typical Socket Mount)

Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)

----

Weight

6 (0.21)

----

g (oz)

www.irf.com

04/26/02

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PC60U-P	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC60UPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PE40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40KD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40MD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40SD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PE40UD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
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