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IRG4PF50WPBF

更新时间: 2024-02-01 01:52:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 645K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRG4PF50WPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-247AC
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:2.77
其他特性:LOW CONDUCTION LOSS外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):51 A集电极-发射极最大电压:900 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):220 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JEDEC-95代码:TO-247ACJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):250
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):370 ns
标称接通时间 (ton):54 nsBase Number Matches:1

IRG4PF50WPBF 数据手册

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PD- 95230  
IRG4PF50WPbF  
• Lead-Free  
www.irf.com  
1
04/30/04  

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