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IRG4PH20KD

更新时间： 2024-11-20 22:16:35
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页数 文件大小 规格书
10页 280K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

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IRG4PH20KD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-3P, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.04其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：11 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：730 ns标称接通时间 (ton)：80 ns
Base Number Matches：1

IRG4PH20KD 数据手册

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PD- 91777  
IRG4PH20KD  
Short Circuit Rated  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
UltraFast IGBT  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,  
VGE = 15V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
VCES = 1200V  
VCE(on) typ. = 3.17V  
G
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
E
n-channel  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
11  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
ICM  
22  
A
ILM  
22  
IF @ TC = 100°C  
5.0  
IFM  
22  
tsc  
10  
± 20  
µs  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
60  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
24  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.1  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
3.5  
°C/W  
0.24  
–––  
40  
–––  
Wt  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
6/25/98  
1234567...10

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IRG4PH20KD 替代型号

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IRG4PH20KDPBF INFINEON

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 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PH20KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH20K-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH20KPBF INFINEON

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 		Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH30 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30K INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40K INFINEON

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