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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 51 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 460 ns | 标称接通时间 (ton)： | 121 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC50WPBF | INFINEON |
类似代替  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC40UDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PF50W-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PF50W-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PF50WPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4PG40FD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4PG40KD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40MD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40SD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
|
| IRG4PG40UD | INFINEON |
获取价格 |
Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PH20 | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
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| IRG4PH20K | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
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